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IDD15E60中文资料Silicon Power Diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDD15E60

参数属性

IDD15E60 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GP 600V 29.2A TO252-3

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GP 600V 29.2A TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-20 20:00:00

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IDD15E60规格书详情

描述 Description

600 V, 15 A 发射极控制硅二极管具有  TO-252 封装,主要为高达 30kHz 的 电机驱动应用设计。

特性 Features

• 低 VF 值
• 市场上比较柔软的二极管
• Tj(最大值)为 175°C
• 质量符合 JEDEC 标准
• 冷却器封装和更高的效率
• 优化电磁干扰行为
• 成本和性能之间实现出色平衡
• 低通态损耗
• 容易并联

优势:

简介

IDD15E60属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由Infineon制造生产的IDD15E60二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDD15E60

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Voltage Class 

    :600.0V 

  • Configuration 

    :Single

  • IF  (max)

    :15.0A (29.2A)

  • I(FSM) max

    :60.0A

  • VF  (max)

    :1.5V (2.0V)

  • IR max

    :50.0µA

  • Irrm 

    :13.7A 

  • Qrr 

    :595.0nC 

  • trr 

    :87.0ns 

  • Ptot max

    :83.3W

  • RthJC max

    :1.8K/W

  • Operating Temperature min max

    :-40.0°C 175.0°C

  • Mounting 

    :SMT

  • Package 

    :PG-TO252-3-1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEIN
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
8250
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
INFINEON
21+
标准封装
100
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号
询价
原厂
2023+
模块
600
专营模块,继电器,公司原装现货
询价
INFINEON
25+
SOT-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
INFINEON
24+
TO252
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
询价
INFINEON/英飞凌
25+
TO-252
5000
全新原装正品支持含税
询价
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
询价