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IDD15E60	文件：187.38 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IDD15E60	文件：462.03 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDD15E60_07	文件：616.39 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDD15E60_13	文件：462.03 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDD15E60BUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDD15E60BUMA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 600V 29.2A TO252-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IDP15E60	文件：643.54 Kbytes Page：8 Pages	FastSwitchingEmitterControlledDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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详细参数

型号：
IDD15E60
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 IGBT PRODUCTS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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