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IDD15E60	文件：187.38 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：187.38 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60	文件：616.39 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：616.39 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60	文件：462.03 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode 文件：462.03 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Power Diode 600 V, 15 A 发射极控制硅二极管具有 TO-252 封装，主要为高达 30kHz 的电机驱动应用设计。 • 低 VF 值\n• 市场上比较柔软的二极管\n• Tj（最大值）为 175°C\n• 质量符合 JEDEC 标准\n• 冷却器封装和更高的效率\n• 优化电磁干扰行为\n• 成本和性能之间实现出色平衡\n• 低通态损耗\n• 容易并联\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60_07	文件：616.39 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：616.39 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60_13	文件：462.03 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode 文件：462.03 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60BUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD15E60BUMA2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GP 600V 29.2A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Voltage Class ：
600.0V
Configuration ：
Single
IF (max)：
15.0A (29.2A)
I(FSM) max：
60.0A
VF (max)：
1.5V (2.0V)
IR max：
50.0µA
Irrm ：
13.7A
Qrr ：
595.0nC
trr ：
87.0ns
Ptot max：
83.3W
RthJC max：
1.8K/W
Operating Temperature min max：
-40.0°C 175.0°C
Mounting ：
SMT
Package ：
PG-TO252-3-1

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更多IDD15E60供应商更新时间2025-10-8 23:00:00

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