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IDD09E60中文资料Silicon Power Diode数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IDD09E60

参数属性

IDD09E60 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252

功能描述

Silicon Power Diode
DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO252

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 14:31:00

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IDD09E60规格书详情

描述 Description

The 600 V, 9 A emitter controlled silicon power diode in a TO-252 package has been primarily designed for motor drive applications up to 30kHz.

特性 Features

• Lowest VFvalues
• Softest diodes available on the market
• Tj(max)of 175°C
• Qualified according to JEDEC Standard
• Cooler packages and higher efficiency
• Excellent EMI behavior
• Excellent trade- off between cost and performance
• Low conduction losses
• Easy paralleling

优势:

简介

IDD09E60属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDD09E60二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDD09E60

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Voltage Class 

    :600.0V 

  • Configuration 

    :Single

  • IF  (max)

    :9.0A (19.3A)

  • I(FSM) max

    :40.0A

  • VF  (max)

    :1.5V (1.5V)

  • IR max

    :50.0µA

  • Irrm 

    :10.2A 

  • Qrr 

    :343.0nC 

  • trr 

    :75.0ns 

  • Ptot max

    :57.7W

  • RthJC max

    :2.6K/W

  • Operating Temperature min max

    :-55.0°C 175.0°C

  • Mounting 

    :SMT

  • Package 

    :PG-TO252-3-1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
P-TO252-3-1
8866
询价
Infineon
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
INFINEON
2025+
SOT-252
32560
原装优势绝对有货
询价
INFINEON
25+
SOT-252
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售
询价
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17372
原装进口假一罚十
询价
Infineon Technologies
25+
30000
原装现货,支持实单
询价
Infineon/英飞凌
22+
PG-TO252-3
6000
十年配单,只做原装
询价
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
10
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
CET/華瑞
23+
TO-251
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价