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IDD12SG60C数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

IDD12SG60C

参数属性

IDD12SG60C 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3

功能描述

CoolSiC™ Schottky Diode
DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO252-3

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 22:30:00

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IDD12SG60C规格书详情

描述 Description

The third generation of Infineon SiC Schottky diodes features the industry’s lowest device capacitance for any given current rating, which further enhances overall system efficiency, especially at higher switching frequencies and under low load conditions. The generation 3 is based on the same technology platform as generation 2 with the introduction, at package level, of the so called diffusion soldering.

特性 Features

·Benchmark switching behavior
·No reverse recovery charge
·Temperature independent switching behavior
·High operating temperature (T j max 175°C)

应用 Application

  · Server
· Telecom
· Solar
· Lighting
· PC power
·AC-DC

简介

IDD12SG60C属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDD12SG60C二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IDD12SG60C

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDC min

    :600.0V 

  • IF max

    :12.0A

  • VF 

    :1.8V 

  • QC 

    :19.0nC 

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • I(FSM) max

    :59.0A

  • IR 

    :1.0µA 

  • Ptot max

    :125.0W

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