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SMDJ5.0C	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	丝印：IDD；Package：DO-214AB；SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE Features Uni- and Bi-Directional Versions Available Excellent Clamping Capability Fast Response Time Classification Rating 94V-O Glass Passivated Die Construction Plastic Case Material has UL Flammability 文件：204.1 Kbytes 页数：5 Pages	SUNMATE 森美特	SUNMATE
IDD06E60	文件：521.059 Kbytes Page：8 Pages	丝印：D06E60；Package：PG-TO252-3；Fast Switching Emitter Controlled Diode Feature • 600V Emitter Controlled technology • Fast recovery • Soft switching Low reverse recovery charge • Low forward voltage • 175°C operating temperature • Easy paralleling • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC) for target applications 文件：521.059 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD06E60_13	文件：521.059 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode Feature • 600V Emitter Controlled technology • Fast recovery • Soft switching Low reverse recovery charge • Low forward voltage • 175°C operating temperature • Easy paralleling • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC) for target applications 文件：521.059 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03E60	文件：183.07 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：183.07 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03E60	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：249.57 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03E60_07	文件：249.57 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：249.57 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03E60G	文件：483.07 Kbytes Page：8 Pages	600V Emitter Controlled technology 文件：483.07 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03SG60C	文件：270.15 Kbytes Page：7 Pages	3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode 文件：270.15 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD03SG60C_13	文件：762.54 Kbytes Page：7 Pages	3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode 文件：762.54 Kbytes 页数：7 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDD04E120	文件：253.68 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：253.68 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IDD
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS Diode SMC Suf MT
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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更多IDD供应商更新时间2025-9-14 11:06:00

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