IDC08S60C中文资料2nd generation thinQ SiC Schottky Diode数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IDC08S60C |
| 参数属性 | IDC08S60C 封装/外壳为模具；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER |
| 功能描述 | 2nd generation thinQ SiC Schottky Diode |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 16:11:00 |
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IDC08S60C规格书详情
简介
IDC08S60C属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的IDC08S60C二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 产品编号：
IDC08S60CEX1SA3
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
CoolSiC™+
- 包装：
散装
- 二极管类型：
碳化硅肖特基
- 电流 - 平均整流 (Io)：
8A
- 速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
310pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDC |
2407+ |
LGA |
7750 |
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询价 | ||
GY |
2022 |
IDC1.25-4P |
10 |
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Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
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INFINEON |
23+ |
8000 |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
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DALLAS |
2450+ |
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BB |
24+ |
模块 |
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2405+ |
原厂封装 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
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Infineon Technologies |
25+ |
模具 |
9350 |
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