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IDB30E120	文件：211.01 Kbytes Page：9 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：211.01 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E120	文件：214.69 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：214.69 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E120	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Power Diode The 1200 V, 30 A emitter controlled silicon power diode in a D2PAK TO-263 package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a T j(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21. • Lowest VFvalues\n• Softest diodes available on the market\n• Tj(max)of 175°C\n• Qualified according to JEDEC Standard\n• Cooler packages and higher efficiency\n• Excellent EMI behavior\n• Excellent trade-off between cost and performance\n• Low conduction losses\n• Easy paralleling\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E120_07	文件：214.69 Kbytes Page：8 Pages	Fast Switching EmCon Diode 文件：214.69 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E120_13	文件：1.07603 Mbytes Page：8 Pages	Fast Switching Emitter Controlled Diode 文件：1.07603 Mbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IDB30E120ATMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Product Status：
active and preferred
Package name：
PG-TO263-3
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Voltage Class max：
1200 V
Configuration：
Single
IF max：
50 A
IF：
30 A
I(FSM) max：
102 A
VF max：
1.65 V
VF：
1.65 V
IR max：
100 µA
Irrm：
23.7 A
Qrr：
2630 nC
trr：
243 ns
Ptot max：
138 W
RthJC max：
0.9 K/W
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
150 °C
Mounting：
SMT

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更多IDB30E120供应商更新时间2025-10-11 23:00:00

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