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ICTE15C	文件：80.09 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 1500 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resistanc 文件：80.09 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
ICTE15C	文件：55.23 Kbytes Page：2 Pages	GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power STANDOFF VOLTAGE- 5.0 to 45.0V 1500 Watt Peak Power FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94 V-O • Glass passivated chip junction in Molded Plastic package • 1500W surge capability at 1ms • Excellent clamping capability • Low zener inpedance 文件：55.23 Kbytes 页数：2 Pages	MDE	MDE
ICTE15C	文件：286.36 Kbytes Page：4 Pages	UNI-AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES DE PORTECTION UNI- ET BIDIRECTIONNELLES UNI - AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES DE PORTECTION UNI - ET BIDIRECTIONNELLES 文件：286.36 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ICTE15C	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB Transient Voltage Suppressors 文件：89.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
ICTE15C-E354	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB® Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 1500 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resistance • Sol 文件：89.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
ICTE15C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode TVS Single Bi-Dir 15V 1.5KW 2-Pin DO-201AD	NJS	NJS
ICTE15C-E3/54	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ICTE15C-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：带盒（TB）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ICTE15CHE3/51	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 15VWM 21.4VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

Peak Pulse Power Dissipation：
1500W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum Breakdown Voltage：
17.6V
Maximum Reverse Stand-off Voltage：
15V
Maximum Reverse Leakage Current：
2uA
Maximum Peak Pulse Current：
60A
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Clamping Voltage：
21.4V
Direction Type：
Bi-Directional
Configuration：
Single

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