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ICTE10C	文件：80.09 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB Transient Voltage Suppressors FEATURES • Glass passivated chip junction • Available in uni-directional and bi-directional • 1500 W peak pulse power capability with a 10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty cycle): 0.01 • Excellent clamping capability • Very fast response time • Low incremental surge resistanc 文件：80.09 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
ICTE10C	文件：286.36 Kbytes Page：4 Pages	UNI-AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES DE PORTECTION UNI- ET BIDIRECTIONNELLES UNI - AND BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS DIODES DE PORTECTION UNI - ET BIDIRECTIONNELLES 文件：286.36 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
ICTE10C	文件：89.87 Kbytes Page：5 Pages	TRANSZORB Transient Voltage Suppressors 文件：89.87 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
ICTE10C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode TVS Single Bi-Dir 10V 1.5KW 2-Pin DO-201AD	NJS	NJS
ICTE10C-E3/51	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 14.5VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ICTE10C-E3/54	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 14.5VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ICTE10C-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-201AA，DO-27，轴向；包装：带盒（TB）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 10VWM 14.5VC 1.5KE	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

技术参数

Peak Pulse Power Dissipation：
1500W
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Minimum Breakdown Voltage：
11.7V
Maximum Reverse Stand-off Voltage：
10V
Maximum Reverse Leakage Current：
2uA
Maximum Peak Pulse Current：
90A
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Clamping Voltage：
14.5V
Direction Type：
Bi-Directional
Configuration：
Single

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