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ICT-8	文件：71.13 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER 文件：71.13 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
ICT-8C	文件：71.13 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENT ABSORPTION ZENER 文件：71.13 Kbytes 页数：2 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi
ICT-8	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5KW 2-Pin DO-13	NJS	NJS
ICT-8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8VWM 11.5VC DO13	Microsemi 美高森美	Microsemi
ICT-8C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：散装类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 8VWM 11.6VC DO13	Microsemi 美高森美	Microsemi
ICT-8C/TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-13；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：BI-DIRECTIONAL TVS	Microchip 微芯科技	Microchip

产品属性

产品编号：
ICT-8
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
8V
电压 - 击穿（最小值）：
9.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
11.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
100A
功率 - 峰值脉冲：
1500W（1.5kW）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-13
供应商器件封装：
DO-13
描述：
TVS DIODE 8VWM 11.5VC DO13

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更多ICT-8供应商更新时间2025-12-6 10:19:00

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