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IFBF512	文件：386.66 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelJFET Features •InterFETN0026Geometry •LowNoise:3nV/√HzTypical •LowCiss:5.0pFMaximum •LowLeakage:10pATypical •RoHSCompliant •SMT,TH,andBareDiePackageoptions. Applications •LowNoiseHighGain •ReplacementforBF512andBF513 •Mixers •Oscillators •VHFAmplifier	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IPS512G	文件：182.03 Kbytes Page：11 Pages	FULLYPROTECTEDHIGHSIDEPOWERMOSFETSWITCH Description TheIPS511G/IPS512Garefullyprotectedfiveterminalhighsideswitcheswithbuiltinshort-circuit,over-temperature,ESDprotection,inductiveloadcapabilityanddiagnosticfeedback.TheoutputcurrentiscontrolledwhenitreachesIlimvalue.Thecurrentlimitationisactivated	IRF International Rectifier	IRF
IRF512	文件：151.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,60-100V N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,60-100V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF512	文件：70.67 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSPowerFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IRF512	文件：71.57 Kbytes Page：7 Pages	4.9A,and5.6A,80Vand100V,0.54and0.74Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRF512	文件：45.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF512	文件：374.91 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IWD512	文件：144.5 Kbytes Page：3 Pages	IWDSERIES-DUALOUTPUT,10WATT	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
IWS512	文件：111.94 Kbytes Page：3 Pages	IWSSERIES-10WATT DESCRIPTION IWSDC/DCconvertersofferexcellentregulationandisolationinanindustry-standardpackage.Availableinseveralinputversions,theIWSisperfectforindustrial,datacom,ortelecomapplications.TheIWSfeaturesshortcircuitprotectionand500VDCisolation.PleaseseetheIWD	POWER-ONE Power-One	POWER-ONE
KM512J	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
ICS512M
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 时钟发生器，PLL，频率合成器
系列：
LOCO™
包装：
管件
类型：
时钟发生器
PLL：
带旁路
输入：
时钟，晶体
输出：
CMOS
比率 - 输入：
1：2
差分 - 输入：
无/无
频率 - 最大值：
200MHz
分频器/倍频器：
无/是
电压 - 供电：
3V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC PLL CLOCK MULTIPLIER 8-SOIC

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