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HMC624A	文件：578.55 Kbytes Page：15 Pages	0.1GHzto6.0GHz,0.5dBLSB,6-Bit,GaAsDigitalAttenuator	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ICA-624-ZEGG	文件：596.63 Kbytes Page：1 Pages	AUTOMATEDINSERTIONDIPSOCKETS	SamtecSamtec Inc. 申泰	Samtec
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ICF-624-S-O	文件：1.30223 Mbytes Page：1 Pages	SMTDIP&CHIPCARRIERSOCKETS	SamtecSamtec Inc. 申泰	Samtec
ICF-624-S-O	文件：372.91 Kbytes Page：1 Pages	SMTDIPCHIPCARRIERSOCKETS	SamtecSamtec Inc. 申泰	Samtec
ICF-624-S-O	文件：440.8 Kbytes Page：1 Pages	SMTDIPCHIPCARRIERSOCKETS	SamtecSamtec Inc. 申泰	Samtec
IPM-C624	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
IPM-L624	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯美国JDSU	JDSU
IQS624	文件：2.80645 Mbytes Page：62 Pages	Halleffectanglesensor:On-chipHallplates	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
IQXO-624	文件：207.72 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF624	文件：159.2 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624	文件：45.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Designedforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. •FEATURES •RDS(on)=1.1Ω •3.8Aand250V •singlepulseavalancheenergyrated •SOAisPower-DissipationLimited •LinearTransfe	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF624	文件：149.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624	文件：874.76 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF624A	文件：220.79 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowRDS(ON):0.742Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF624B	文件：874.76 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF624PBF	文件：283.78 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF624PBF	文件：149.94 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRF624S	文件：191.31 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPowerMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. •SurfaceMount •availableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAval	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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更多ICA-624-SGT供应商更新时间2024-3-26 15:06:00

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