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IRF614A	文件：200.66 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •Designedforhighspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandotherpulse. •FEATURES •LowRDS(on) •VGSRatedat±30V •SiliconGateforFastSwitchingSpeed •Rugged •LowDriveRequirements	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF614PBF	文件：924.75 Kbytes Page：7 Pages	hexfetpowermosfet HEXFETPowerMOSFET •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •SurfaceMount •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF614S	文件：176.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614S	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614SPBF	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF614SPBF	文件：1.72373 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET HEXFETPowerMOSFET •SurfaceMount •AvailableinTape&Reel •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •Lead-Free	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF614STRRPBFA	文件：217.94 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI614B	文件：649.21 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI614G	文件：173.14 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=250V,Rds(on)=2.0ohm,Id=2.1A) Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI614G	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI614G	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI614GPBF	文件：282.67 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI614GPBF	文件：292.01 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFI614GPBF	文件：1.51135 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS614A	文件：264.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS614B	文件：264.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS614B	文件：855.44 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW614B	文件：649.21 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IXD_614	文件：310.66 Kbytes Page：14 Pages	14APeakSource/SinkDriveCurrent	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

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详细参数

型号：
IC-614-ATT
制造商：
Samtec Inc
功能描述：
CONN DIP SCKT SKT 14 POS 2.54MM SLDR ST TH - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	IC-614-SGT	SAMTEC	新		510	全新原装货期两周	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IC61C1024	ICSI	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市芯诚实创科技有限公司	IC61C1024-10J	ICSI	2022	SOJ	7070	全新原装现货	询价
深圳市柯尔基电子有限公司	IC61C1024-10J	ICSI	23+24	SOJ-	9680	原盒原标.进口原装.支持实单 .价格优势	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IC61C1024-10JI	ICSI	21+ROHS	SOJ	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IC61C1024-12J	ICSI	23+	SC70-5	36000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市能元时代电子有限公司	IC61C1024-12J	ICSI	23+		66994	##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术	询价
上海磐岳电子有限公司	IC61C1024-12J	ICSI	2023+	SOJ-32	5800	进口原装,现货热卖	询价
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更多IC-614-ATT供应商更新时间2024-6-10 16:05:00

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