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IAUS300N08S5N011T	文件：1.02385 Mbytes Page：10 Pages	丝印：5N08011；Package：PG-HDSOP-16-2；OptiMOS™-5 Power-Transistor Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 文件：1.02385 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUS300N08S5N011T	文件：300 bytes Page：1 Pages	The IAUS300N08S5N011T is a 1.1mR 80V MOSFET in a TOLT package for Top Side Cooling, using Infineon’s leading OptiMOS™-5 technology. \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUT300N08S5N011	文件：1.47484 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOS??5 Power-Transistor 文件：1.47484 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUS300N08S5N011	文件：1.78588 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOS™-5 Power-Transistor Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • Green product (RoHS compliant) • 文件：1.78588 Mbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

更多IAUS300N08S5N011T供应商更新时间2025-10-6 23:00:00