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IAUCN04S7L053D	文件：1.20657 Mbytes Page：12 Pages	丝印：7N4L053D；Package：PG-TDSON-8-61；OptiMOSTM 7 Power-Transistor Features • OptiMOSTM power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Logic Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100% Avalan 文件：1.20657 Mbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUCN04S7L053D	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 通道、5.34mΩ（最大值）、汽车 MOSFET、双 SSO8（5x6）、OptiMOS ™ 7 • OptiMOS ™ 7 40 V 功率 MOSFET\n • N沟道增强模式逻辑电平\n • 超越 AEC-Q101 的扩展资格\n • 增强电气测试\n • 坚固的设计\n • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n • 工作温度为 175°C\n • 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n • 100% Avalanche 测试\n • 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
IAUS300N08S5N014	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON/英飞凌 PG-HSOG-8	INFINEON/英飞凌上传：深圳市钜韬电子有限公司	INFINEON/英飞凌
IAUT150N10S5N035ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON HSOF-8	Infineon 英飞凌上传：深圳市壹芯创科技有限公司	Infineon
IAUT200N08S5N023ATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	infineon 8HSOF	Infineon 英飞凌上传：深圳市远进半导体有限公司	Infineon

技术参数

QG(typ @10V)：
11 nC
QG(typ @10V) max：
14 nC
RDS (on)(@10V) max：
5.34 mΩ
VDSmax：
40 V
VGS(th)：
1.8 V
Package：
PG-TDSON-8
Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
Technology：
OptiMOS™-7
Launch year：
2024
Polarity：
N+N
Currently planned availability until at least：
2038
Qualification：
Automotive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市煦洪科技有限公司	IAUCN04S7L053D	Infineon/英飞凌	25+	原厂封装	10280	原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	IAUCN04S7N004	Infineon	23+	PG-TDSON-8	15500	英飞凌优势渠道全系列在售	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	IAUCN04S7N004ATMA1	NK/南科功率	2025+	DFN5X6	986966	国产	询价
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更多IAUCN04S7L053D供应商更新时间2025-10-8 15:16:00

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