丝印：6C4；Package：PG-LHDSO-10-1；Automotive MOSFET OptiMOS™ 6 Power-Transistor

Features • OptiMOS™ power MOSFET for automotive applications • N-channel – Enhancement mode – Normal Level • Extended qualification beyond AEC-Q101 • Enhanced electrical testing • Robust design • MSL1 up to 260°C peak reflow • 175°C operating temperature • RoHS compliant • 100 Avalanche t

文件：1.2835 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

40 V、N 沟道、最大值 1.32mΩ、汽车 MOSFET、SSO10T (5x7)、OptiMOS ™ 6

创新的 TSC 封装可实现最佳冷却效果、高功率密度和优化的系统成本初始产品组合包括 OptiMOS ™ 6 系列的四种产品，额定电压为 40V，并计划未来扩展。RDS(on) 最大值范围从 1.73 mΩ 到令人印象深刻的 0.75 mΩ。SSO10T TSC 封装已通过 JEDEC 认证，确保其适合公开市场使用，并可与第二来源广泛兼容。 • 直接冷却至 ECU 外壳\n • 将 Zth 提升 -20% 至 -50%\n • 将 Rth 提高 -20% 至 -50%\n • 支持双面 PCB 设计\n • 提供更高的应用电流\n • JEDEC 认证封装\n • 支持 PPAP 的设备;

Infineon

英飞凌

INFINEON/英飞凌
PG-HSOG-8

INFINEON/英飞凌

上传：深圳市钜韬电子有限公司

INFINEON
HSOF-8

Infineon

英飞凌

上传：深圳市壹芯创科技有限公司

infineon
8HSOF

Infineon

英飞凌

上传：深圳市远进半导体有限公司