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I60N10	文件：714.67 Kbytes Page：10 Pages	60A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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60N10	文件：714.31 Kbytes Page：10 Pages	60A100VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司	WXDH
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60N10	文件：60.63 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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CEB60N10	文件：97.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor URES ■100V,60A,RDS(ON)=23.5mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET

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更多I60N10供应商更新时间2024-5-15 15:00:00

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