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I4NE65

丝印:I4NE65;Package:TO-262;4A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

I4NE65

丝印:I4NE65;Package:TO-262;4A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:1.33449 Mbytes 页数:13 Pages

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东海半导体

I4NE65

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文件:1.32956 Mbytes 页数:13 Pages

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东海半导体

I4NE65

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东海半导体

I4NE65

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东海半导体

I4NE65

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东海半导体

I4NE65

MOSFET

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东海半导体

技术参数

  • P tot:

    75

  • I D:

    4

  • B VDSS:

    650

  • B VGSS:

    30

  • V TH:

    2

  • RDS(on):

    2.3

  • EAS:

    150

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更多I4NE65供应商 更新时间2025-10-25 16:50:00