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HYG450P06LA1D

P MOSFET

此器件为-60V、37mΩ、TO-252-2L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件可满足如小马达驱动,电池管理系统等应用领域。\n

Huayi

华羿微电

HYIOUGGOMF1P-6SSOE

FBGA

SKHYNIX

HYM8025

SOP14

HAOYU

昊昱微电子

上传:佛山市芯光达科技有限公司

技术参数

  • ID@TC=25℃:

    -20

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    45

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    60

  • PD@TC=25℃ (W):

    37.5

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    -1.2~-2.5

  • Ciss Typ(pF):

    1260

  • Qg Typ(nC):

    25

  • Configuration:

    Single - P

  • Package:

    TO-252-2L

  • Application:

    电机驱动 / DC-DC

  • Status:

    MP

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更多HYG450P06LA1D供应商 更新时间2025-11-4 10:06:00