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HYG400N15NS1B中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG400N15NS1B

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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HYG400N15NS1B规格书详情

描述 Description

此器件为150V、34mΩ、TO-263-2L封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合LED电源、DC-DC转换器等应用领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG400N15NS1B

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :40

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :41

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :115

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2~4

  • Ciss Typ(pF)

    :2140

  • Qg Typ(nC)

    :30

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-263-2L

  • Application

    :DC-DC / 电源

  • Status

    :MP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
华羿微
24+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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HY华羿微
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8000
原装,正品
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专营华羿微MOS原装保障
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TO-263-2L
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一级代理
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HUAYI(华羿微)
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TO-263-2
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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25+
TO-263-2L
20000
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
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HUAYI(华羿微)
2025+
TO-263-2
20876
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