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HYG067N07NQ1B

N MOSFET

此器件为 68V、6.5mΩ、TO-263-2L封装产品,采用Trench流片工艺,可满足如锂电池保护板等应用领域。

Huayi

华羿微电

HYG067N07NQ1B

丝印:G067N07;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.60128 Mbytes 页数:12 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG067N07NQ1P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.60128 Mbytes 页数:12 Pages

HUAYI

华羿微电

HYG067N07NQ1PS

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.60128 Mbytes 页数:12 Pages

HUAYI

华羿微电

技术参数

  • ID@TC=25℃:

    80

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    7.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    N/A

  • PD@TC=25℃ (W):

    136

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    2~4

  • Ciss Typ(pF):

    7193

  • Qg Typ(nC):

    114.8

  • Configuration:

    Single - N

  • Package:

    TO-263-2L

  • Application:

    电池保护板

  • Status:

    MP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HY
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TO-263
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更多HYG067N07NQ1B供应商 更新时间2025-10-10 12:01:00