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HYG065P03LQ1D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single P(-20V~ -100V) 此器件为 P 沟道、-30V耐压、5.9mΩ内阻、TO-252-2L封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。	Huayi 华羿微电	Huayi
HYG065P03LQ1D	文件：1.0932 Mbytes Page：11 Pages	丝印：G065P03；Package：TO-252-2L；P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.0932 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYG065P03LQ1U	文件：1.0932 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.0932 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI
HYG065P03LQ1V	文件：1.0932 Mbytes Page：11 Pages	P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.0932 Mbytes 页数：11 Pages	HUAYI 华羿微电	HUAYI

技术参数

ID@TC=25℃：
-70
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
7.5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
14
PD@TC=25℃ (W)：
57.7
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
-1~-3
Ciss Typ(pF)：
3595
Qg Typ(nC)：
86
Configuration：
Single - P
Package：
TO-252-2L
Application：
电池保护板 / DC-DC / 负载开关
Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	HYG065P03LQ1D	HY	*	TO-252	15008	原装现货17377264928微信同号	询价
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更多HYG065P03LQ1D供应商更新时间2025-12-22 12:00:00

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