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HYG065N07NS1P

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Single N(50V~80V) MOSFET;

此器件为70V、5.5mΩ、TO-220FB-3L封装产品，采用SGT流片工艺，该器件适合低频应用，可满足如保护板，电机驱动等应用领域。\n

HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

Huayi

技术参数

ID@TC=25℃：
100
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
6.5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
N/A
PD@TC=25℃ (W)：
125
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
2~4
Ciss Typ(pF)：
2990
Qg Typ(nC)：
52
Configuration：
Single - N
Package：
TO-220FB-3L
Application：
电池保护板 / 电机驱动 / 逆变器
Status：
MP

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