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HYG055N08NS1C2中文资料Single N(50V~80V) MOSFET数据手册Huayi规格书
HYG055N08NS1C2规格书详情
描述 Description
此器件为 80V、4.8mΩ、PDFN8L(5x6)封装产品,采用SGT流片工艺,该器件适合较高频率应用,可满足同步整流,电机驱动,高频DC-DC转换等应用领域。
技术参数
- 制造商编号
:HYG055N08NS1C2
- 生产厂家
:Huayi
- ID@TC=25℃
:85
- RDS(on) Max 10V(mΩ)
:6
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)
:N/A
- PD@TC=25℃ (W)
:83.3
- Vgs(±V)
:20
- Vth (V)
:2~4
- Ciss Typ(pF)
:3660
- Qg Typ(nC)
:60
- Configuration
:Single - N
- Package
:PDFN8L(5x6)
- Application
:电池保护板 / 电机驱动
- Status
:MP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
HAMOS/汉姆 |
24+ |
NA/ |
33250 |
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HY/华羿微 |
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HY/华羿微 |
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HUAYI/华羿微 |
25+ |
PPAK5*6 |
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HUAYI(华羿微) |
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TO-220FB-3 |
500000 |
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HY |
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PAK5*6 8L |
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HUAYI(华羿微电子) |
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HUAYI(华羿微) |
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DFN-8(5.2x5.9) |
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