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HYG053N10NS2PM中文资料N MOSFET数据手册Huayi规格书

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厂商型号

HYG053N10NS2PM

功能描述

N MOSFET

制造商

Huayi HUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

华羿微电 华羿微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 12:00:00

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HYG053N10NS2PM规格书详情

描述 Description

此器件为100V、4.7mΩ、TO-3PM-3S 封装产品,采用SGT流片工艺,可应用在锂电保板,控制器等领域。

特性 Features

符合RoHS标准  
100% DVDS测试
100% UIL测试

应用 Application

锂电保板,控制器

技术参数

  • 制造商编号

    :HYG053N10NS2PM

  • 生产厂家

    :Huayi

  • ID@TC=25℃

    :135

  • RDS(on) Max 10V(mΩ)

    :5.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ)

    :N/A

  • PD@TC=25℃ (W)

    :208.3

  • Vgs(±V)

    :20

  • Vth (V)

    :2.2~3.8

  • Ciss Typ(pF)

    :6457

  • Qg Typ(nC)

    :94

  • Configuration

    :Single - N

  • Package

    :TO-3PM-3S

  • Application

    :电池保护板

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HY
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全新原装正品,现货销售
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HY/华羿微
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华羿微
23+
TO-263
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全新原装正品现货,支持订货
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