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HYG045P03LQ1C2	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P(-20V~ -100V) MOSFET 此器件为 P 沟道、-30V耐压、3.8mΩ内阻、PDFN8L(5x6)封装产品，芯片采用Trench工艺设计。该器件抗冲击能力强，适合较低开关频率应用，可满足负载开关、电池保护板等应用领域。低内阻 \n符合RoHS标准 \n100% DVDS测试\n100% UIL测试 \n领先的封装工艺 ;	Huayi 华羿微电	Huayi
HYIOUGGOMF1P-6SSOE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SKHYNIX FBGA	SKHYNIX 上传：深圳庞田科技有限公司	SKHYNIX
HYM8025	文件：0 bytes Page：0 Pages	Haoyu SOP14	HAOYU 昊昱微电子上传：佛山市芯光达科技有限公司	HAOYU

技术参数

ID@TC=25℃：
-80
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
8.5
PD@TC=25℃ (W)：
62.5
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
-1~-3
Ciss Typ(pF)：
7660
Qg Typ(nC)：
131.3
Configuration：
Single - P
Package：
PDFN8L(5x6)
Application：
电池保护板 / DC-DC / 负载开关
Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	HYG045P03LQ1C2	HY	2432	PPAK5×6-8L	5000	原装现货17377264928微信同号	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HYG045P03LQ1C2	HY/华羿微	23+	PDFN(5*6)-8L	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市卓越微芯电子有限公司	HYG045P03LQ1C2	HY	25+	PPAK5×6-8L	20000	原装正品价格优惠,志同道合共谋发展	询价
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更多HYG045P03LQ1C2供应商更新时间2025-10-11 12:01:00

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