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HYG027N04LR1D	文件：300 bytes Page：1 Pages	N MOSFET 此器件为40V、2.6mΩ、TO-252-2L封装产品，采用Trench流片工艺，该器件适合DC-DC转换器、锂电保护、负载开关等应用领域。	Huayi 华羿微电	Huayi
HYIOUGGOMF1P-6SSOE	文件：0 bytes Page：0 Pages	FBGA	SKHYNIX 上传：深圳庞田科技有限公司	SKHYNIX
HYM8025	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP14	HAOYU 昊昱微电子上传：佛山市芯光达科技有限公司	HAOYU

技术参数

ID@TC=25℃：
100
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
3.1
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
6.7
PD@TC=25℃ (W)：
62.5
Vgs(±V)：
20
Vth (V)：
1~3
Ciss Typ(pF)：
4172
Qg Typ(nC)：
97.4
Configuration：
Single - N
Package：
TO-252-2L
Application：
电池保护板 / DC-DC / 负载开关
Status：
MP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	HYG027N04LR1D	HY	A4H02LR1N	TO-252	30000	原装现货17377264928微信同号	询价
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更多HYG027N04LR1D供应商更新时间2025-11-20 12:01:00

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