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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
HYA024N04NS1C2 | N MOSFET 此器件为40V、2.1mΩ、PDFN8L(5X6)封装产品，采用SGT流片工艺，可应用在锂电保板，电机驱动等领域。 符合RoHS标准 \n100% DVDS测试\n100% UIL测试; | Huayi 华羿微电 | Huayi | |
BGA | QIMONDA | |||
BGA | QIMONDA | |||
TSOP66 | QIMONDA | |||
SSOP | QIMOND 上传：深圳市融意电子有限公司 | QIMOND |
技术参数
- ID@TC=25℃：
145
- RDS(on) Max 10V(mΩ)：
2.5
- RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
N/A
- PD@TC=25℃ (W)：
108
- Vgs(±V)：
20
- Vth (V)：
2~4
- Ciss Typ(pF)：
1882
- Qg Typ(nC)：
32.7
- Configuration：
Single - N
- Package：
PDFN8L(5x6)
- Application：
电池保护板 / 电机驱动
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HUAYI/华羿微 |
25+ |
PPAK5*6 |
5000 |
一级代理 |
询价 |
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更新时间2025-11-5 15:01:00
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