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MTP8N50E	文件：158.6 Kbytes Page：6 Pages	TMOSPOWERFET8.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.8OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
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MTW8N50E	文件：322.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
HY8N50T
制造商：
HY
制造商全称：
HY ELECTRONIC CORP.
功能描述：
500V/8.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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