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HY8N50T

500V / 8.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:129.66 Kbytes 页数:4 Pages

HY

虹扬科技

IRFIB8N50K

SMPS MOSFET

文件:147.57 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFIB8N50KPBF

HEXFET Power MOSFET

文件:173.91 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IXFP8N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 800mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and PFC Circuits..

文件:296.04 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    HY8N50T

  • 制造商:

    HY

  • 制造商全称:

    HY ELECTRONIC CORP.

  • 功能描述:

    500V/8.0A N-Channel Enhancement Mode MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HY8N50T供应商 更新时间2025-10-7 10:11:00