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HY628100AT1	文件：128 Kbytes Page：9 Pages	128Kx8bit CMOS SRAM DESCRIPTION The HY628100A is a high speed, low power and 1M bit CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 8bit. The HY628100A uses high performance CMOS process technology and designed for high speed low power circuit technology. It is particulary well suited for used 文件：128 Kbytes 页数：9 Pages	HYNIX 海力士	HYNIX
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更多HY628100AT1供应商更新时间2026-1-29 11:10:00