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HY3810NA2B6

N MOSFET

此器件为 100V、4mΩ、TO-263-6L封装产品,采用Trench流片工艺,该器件可满足如锂电池保护板、电机驱动等应用领域的需求

Huayi

华羿微电

HY3810B6

Single N MOSFET(85V~125V)

Huayi

华羿微电

HY3810NA2B

Single N MOSFET(85V~145V)

Huayi

华羿微电

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    180

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    6.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    N/A

  • PD@TC=25℃ (W):

    346

  • Vgs(±V):

    25

  • Vth (V):

    2~4

  • Ciss Typ(pF):

    7889

  • Qg Typ(nC):

    185

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-263-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HUAYI(华羿微)
2447
TO-263-2L
105000
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TO-263-2L
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TO-263
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华羿微
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HY
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更多HY38供应商 更新时间2026-10-24 15:01:00