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HY3708M	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N MOSFET(50V~80V)	Huayi 华羿微电	Huayi
IIRF3708	文件：339.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • reliable device for use in a wide variety of applications • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤12mΩ • Enhancement mode • Fast Switching Speed • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operatio 文件：339.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IIRFR3708	文件：336.62 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF3708	文件：138.88 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) Benefits ● Ultra-Low Gate Impedance ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use ● High Frequency Buck Converters for Comput 文件：138.88 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

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更多HY3708M供应商更新时间2025-12-26 14:02:00