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HY3503B

丝印:HY3503;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:693.15 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3503C2

丝印:HY3503;Package:PPAK5-8L;Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:929.19 Kbytes 页数:9 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3503P

丝印:HY3503;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:693.15 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3506A

丝印:HY3506;Package:TO-3P-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:769.82 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3506B

丝印:HY3506;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:591.33 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3506P

丝印:HY3506;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:591.33 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3506W

丝印:HY3506;Package:TO-247A-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:769.82 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3506

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:591.33 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3606B

丝印:HY3506;Package:TO-263-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:520.51 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY3606P

丝印:HY3506;Package:TO-220FB-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:520.51 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    150

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    3.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    4.2

  • PD@TC=25℃ (W):

    150

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    1~3

  • Ciss Typ(pF):

    4900

  • Qg Typ(nC):

    100

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-263-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HY
20+
TO-263
89636
询价
HOOYI
2022+
TO-263
50000
原厂代理 终端免费提供样品
询价
HOOYI
23+
TO-263
6800
专注配单,只做原装进口现货
询价
HY/华羿微
22+
TO-263-2L
20000
只做原装
询价
HUAYI(华羿微)
2447
PPAK5*6-8L
105000
5000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
HY
23+
DFN5X6-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
HOOYI
21+
DFN56
10000
原装现货假一罚十
询价
HY华羿
24+
NA/
500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
HY
25+
DFN5X6
20000
原装正品价格优惠,志同道合共谋发展
询价
24+
N/A
62000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
更多HY35供应商 更新时间2025-12-24 9:40:00