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HY3208P	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N MOSFET(50V~80V);	HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	Huayi
HY3208PM	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208PS	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208PL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N MOSFET(50V~80V);	HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	Huayi
HY3208PM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N MOSFET(50V~80V);	HuayiHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	Huayi

技术参数

ID@TC=25℃(A)：
120
RDS(on) Max 10V(mΩ)：
8.5
RDS(on) Max 4.5V(mΩ)：
N/A
PD@TC=25℃ (W)：
226
Vgs(±V)：
25
Vth (V)：
2~4
Ciss Typ(pF)：
2900
Qg Typ(nC)：
70
Configuration：
single-N
Package：
TO-220FB-3L

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