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HY1906B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:598.58 Kbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906B

Single N MOSFET(50V~80V)

Huayi

华羿微电

HY1906D

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:962.19 Kbytes 页数:12 Pages

HUAYI

华羿微电

HY1906P

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI

华羿微电

HY1906U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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HUAYI

华羿微电

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    120

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    7.5

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    N/A

  • PD@TC=25℃ (W):

    188

  • Vgs(±V):

    25

  • Vth (V):

    2~4

  • Ciss Typ(pF):

    4577

  • Qg Typ(nC):

    96

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-263-2L

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HY
20+
TO-263
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HUAYI(华羿微)
2447
TO-263-2L
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更多HY1906B供应商 更新时间2026-4-24 14:25:00