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HY1206D

丝印:HY1206;Package:TO-252-2L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.05094 Mbytes 页数:11 Pages

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华羿微电

HY1206D

场效应管(MOSFET)

HUAYU

华宇

HY1206D

Single N MOSFET(50V~80V)

Huayi

华羿微电

HY1206U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.05094 Mbytes 页数:11 Pages

HUAYI

华羿微电

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Surface Mount Common Mode Choke

文件:126.83 Kbytes 页数:3 Pages

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ICM-1206

Surface Mount Common Mode Choke

SMD Magnetics Packaging Methods

文件:40.52 Kbytes 页数:1 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

技术参数

  • ID@TC=25℃(A):

    20

  • RDS(on) Max 10V(mΩ):

    75

  • RDS(on) Max 4.5V(mΩ):

    100

  • PD@TC=25℃ (W):

    31.3

  • Vgs(±V):

    20

  • Vth (V):

    1~3

  • Ciss Typ(pF):

    700

  • Qg Typ(nC):

    21

  • Configuration:

    single-N

  • Package:

    TO-252-2L

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更多HY1206D供应商 更新时间2026-4-24 16:03:00