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HWS421	文件：70.69 Kbytes Page：2 Pages	GaAs DC-2.0 GHz SPDT High Power Switch Description TheHWS421isaGaAsMMICSPDThighpowerswitchinalowcostSOT-26plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS421featureslowinsertionlosswithverylowDCpowerconsumption.ThishighpowerswitchcanbeusedinGSMandPCSsystemsasselectionoftransmitorreceivefunctionfora	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
HWS421_V3_15	文件：58.56 Kbytes Page：2 Pages	GaAS DC-2.0 GHz SPDT High Power Switch	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IFN421	文件：72.21 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor ●VeryHighInputImpedanceDifferentialAmplifiers ●Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IFNU421	文件：283.15 Kbytes Page：4 Pages	DualMatchedN-ChannelJFET Features •InterFETN0001HGeometry •LowLeakage:0.25pATypical •LowInputCapacitance:2.0pFTypical •HighInputImpedance •ReplacementforU421,U422,U423 •RoHSCompliant •SMT,TH,andBareDiePackageoptions. Applications •LowLeakageInputBuffer •HighFrequencyAmplif	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IN421	文件：123.65 Kbytes Page：1 Pages	ContractorFlashlight	ENERGIZEREnergizer 劲量	ENERGIZER
INMP421	文件：504.64 Kbytes Page：21 Pages	OmnidirectionalMicrophonewithBottomPortandPDMDigitalOutput	TDKTDK Corporation TDK株式会社东电化（中国）投资有限公司	TDK
IRF421	文件：211.15 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF421	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF421	文件：69.48 Kbytes Page：7 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforappli	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF421	文件：142.02 Kbytes Page：3 Pages	2.2Aand2.5A,450Vand500V,3.0and4.0Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

详细参数

型号：
HWS421
制造商：
HW
制造商全称：
HW
功能描述：
GaAs DC-2.0 GHz SPDT High Power Switch

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更多HWS421供应商更新时间2025-7-21 14:14:00

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