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IRFL9110TR	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.3922 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechni	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL9110TRPBF	文件：1.04318 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFL9110TRPBFA	文件：357.61 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9110	文件：172.32 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-3.1A) DESCRIPTION ThirdGnerationMOSFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9110	文件：62.52 Kbytes Page：7 Pages	3.1A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs TheseareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecificlevelofenergyintheavalanchebreakdownmodeofoperation.TheseareP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR9110	文件：1.37621 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9110	文件：3.76945 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRating	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9110	文件：3.89837 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9110	文件：3.89222 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Th	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
HV9110P
功能描述：
开关变换器、稳压器与控制器 HVCMOS 120V 1% REF
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出电压：
1.2 V to 10 V
输出电流：
300 mA
输入电压：
3 V to 17 V
开关频率：
1 MHz
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WSON-8
封装：
Reel

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