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HV9110P	文件：324.59 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Current-Mode PWM Controller GeneralDescription TheSupertexHV9110throughHV9113areaseriesofBiCMOS/DMOSsingle-output,pulsewidthmodulatorICsintendedforuseinhigh-speedhigh-efficiencyswitchmodepowersupplies.Theyprovideallthefunctionsnecessarytoimplementasingle-switchcurrent-modePWM,inanyto	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV9110PJ	文件：324.59 Kbytes Page：7 Pages	High-Voltage Current-Mode PWM Controller GeneralDescription TheSupertexHV9110throughHV9113areaseriesofBiCMOS/DMOSsingle-output,pulsewidthmodulatorICsintendedforuseinhigh-speedhigh-efficiencyswitchmodepowersupplies.Theyprovideallthefunctionsnecessarytoimplementasingle-switchcurrent-modePWM,inanyto	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV9110X	文件：324.59 Kbytes Page：7 Pages	High-VoltageCurrent-ModePWMController GeneralDescription TheSupertexHV9110throughHV9113areaseriesofBiCMOS/DMOSsingle-output,pulsewidthmodulatorICsintendedforuseinhigh-speedhigh-efficiencyswitchmodepowersupplies.Theyprovideallthefunctionsnecessarytoimplementasingle-switchcurrent-modePWM,inanyto	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IRFD9110	文件：218.22 Kbytes Page：6 Pages	1-WATTRATEDPOWERMOSFETs HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110	文件：342.88 Kbytes Page：6 Pages	-0.6Aand-0.7A,-80Vand-100V,1.2and1.6Ohm,P-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Features •-0.6Aand-07A,-80Vand-100V •rDS(ON)=	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
IRFD9110	文件：93.95 Kbytes Page：7 Pages	0.7A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFD9110	文件：54.38 Kbytes Page：6 Pages	0.7A,100V,1.200Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFD9110	文件：173.36 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=1.2ohm,Id=-0.70A) HEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectififersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors. ■P-ChannelVersatility ■ForAutomaticInsertion ■CompactPlasticPackage ■EndStackable ■FastSwitching ■LowDriveCurrent ■EasilyParalleled ■ExcellentTemperatureStability	IRF International Rectifier	IRF
IRFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9110	文件：1.64972 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
HV9110P
功能描述：
开关变换器、稳压器与控制器 HVCMOS 120V 1% REF
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
输出电压：
1.2 V to 10 V
输出电流：
300 mA
输入电压：
3 V to 17 V
开关频率：
1 MHz
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
WSON-8
封装：
Reel

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