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UPA895TD	文件：292.78 Kbytes Page：13 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,½S21e½2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2´2SC5800) •	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA895TD	文件：129.61 Kbytes Page：10 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINLEAD-LESSMINIMOLD(M16,1208PACKAGE) FEATURES •Built-inlowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,\|S21e\|2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC5800) •	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
UPA895TD	文件：271.09 Kbytes Page：11 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR	CEL California Eastern Laboratories	CEL
UPA895TS	文件：206.48 Kbytes Page：9 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Built-inlowvoltageoperation,lowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,S21e2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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