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UPA895TD中文资料PDF规格书

UPA895TD
厂商型号

UPA895TD

功能描述

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

文件大小

292.78 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-18 22:30:00

UPA895TD规格书详情

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)

IN A 6-PIN LEAD-LESS MINIMOLD (M16, 1208 PACKAGE)

FEATURES

• Built-in low phase distortion transistor suited for OSC applications

fT = 4.5 GHz TYP., ½S21e½2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz

• Built-in 2 transistors (2 ´ 2SC5800)

• 6-pin lead-less minimold (M16, 1208 package)

产品属性

  • 型号:

    UPA895TD

  • 功能描述:

    射频双极小信号晶体管 NPN Dual High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    NPN

  • 最大工作频率:

    7000 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    15 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    2 V

  • 集电极连续电流:

    0.15 A

  • 功率耗散:

    1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 封装/箱体:

    SOT-223

  • 封装:

    Reel

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