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UPA895TS

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 4.5 GHz TYP., S21e2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Built-in 2 transistors (2 × 2SC

文件:206.48 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

UPA895TS-T3

NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR

NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS) IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES • Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC applications fT = 4.5 GHz TYP., S21e2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz • Built-in 2 transistors (2 × 2SC

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RENESAS

瑞萨

UPA895TS-A

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

UPA895TS-T3-A

RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

UPA895TS-A

Package:6-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

UPA895TS-T3-A

Package:6-SMD,扁平引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    5.5V

  • 频率 - 跃迁:

    6.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    130mW

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):

    100 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    6-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    6 针无铅 SuperMiniMold

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
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QPN
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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1200
全新原装正品现货,支持订货
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NEC
24+
QPN
60000
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更多UPA895TS供应商 更新时间2025-12-11 15:13:00