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UPA895TS-T3分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA895TS-T3 |
参数属性 | UPA895TS-T3 封装/外壳为6-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI |
功能描述 | NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
文件大小 |
206.48 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Renesas Technology Corp |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
人工找货 | UPA895TS-T3价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA895TS-T3规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR (WITH 2 ELEMENTS)
IN A 6-PIN SUPER LEAD-LESS MINIMOLD
FEATURES
• Built-in low voltage operation, low phase distortion transistor suited for OSC applications
fT = 4.5 GHz TYP., S21e2 = 4.0 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz
• Built-in 2 transistors (2 × 2SC5800)
• 6-pin super lead-less minimold package
产品属性
- 产品编号:
UPA895TS-T3-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
5.5V
- 频率 - 跃迁:
6.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
130mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 5mA,1V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:
6 针无铅 SuperMiniMold
- 描述:
RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
13250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOP |
19526 |
询价 | |||
NEC |
0836+ |
SOP563 |
10000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
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NEC |
24+ |
SOP563 |
5000 |
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NEC |
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SOP |
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NEC |
21+ |
SOP563 |
10000 |
原装现货假一赔十 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
RFBipolarTransisto |
880000 |
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NEC |
1995 |
SOP |
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NEC |
23+ |
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