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UPA895TS-T3-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA895TS-T3	文件：206.48 Kbytes Page：9 Pages	NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Built-inlowvoltageoperation,lowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,S21e2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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UPA895TS-T3-A

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Package：6-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

CEL

California Eastern Labs

CEL

UPA895TS-T3

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NPNSILICONRFTWINTRANSISTOR

NPNSILICONRFTRANSISTOR(WITH2ELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD FEATURES •Built-inlowvoltageoperation,lowphasedistortiontransistorsuitedforOSCapplications fT=4.5GHzTYP.,S21e2=4.0dBTYP.@VCE=1V,IC=5mA,f=2GHz •Built-in2transistors(2×2SC

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

产品属性

产品编号：
UPA895TS-T3-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5.5V
频率 - 跃迁：
6.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
功率 - 最大值：
130mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 5mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
6 针无铅 SuperMiniMold
描述：
RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI

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更多UPA895TS-T3-A供应商更新时间2025-5-28 10:13:00

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