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HUFA75631P3	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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HUFA75631P3

文件：201.5 Kbytes

Page：10 Pages

33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER™ElectricalModels -SpiceandSABERThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HUF75631P3

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33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,UltraFETPowerMOSFETs

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

HUF75631P3

文件：343.33 Kbytes

Page：9 Pages

33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,UltraFETPowerMOSFET

Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil

详细参数

型号：
HUFA75631P3
功能描述：
MOSFET 33a 100V N-Ch UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多HUFA75631P3供应商更新时间2024-5-25 10:50:00

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