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HUF75645P3	文件：204.85 Kbytes Page：10 Pages	75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and Saber Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：204.85 Kbytes 页数：10 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HUF75645P3	文件：330.65 Kbytes Page：9 Pages	75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and Saber Thermal Impedance Models - www.semi.intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：330.65 Kbytes 页数：9 Pages	Intersil	Intersil
HUF75645P3	文件：465.76 Kbytes Page：11 Pages	丝印：75645P；Package：TO-220AB；N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 75 A, 14 m廓文件：465.76 Kbytes 页数：11 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75645P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET Power MOSFET，100V，75A，14mΩ N-Channel UltraFET Power MOSFET 100 V, 75 A, 14 mΩ •超低导通电阻\n•SPICE 和 SABER 热阻模型\n•带温度补偿的 PSPICE® 和 SABERTM电气模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUF75645P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs	Renesas 瑞萨	Renesas

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
310
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
14
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
106
Ciss Typ (pF)：
3790
Package Type：
TO-220-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HUF75645P供应商更新时间2025-11-25 16:11:00

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