100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。 •56A, 100V\n•SPICE 和 SABER 热阻模型\n•带温度补偿的 PSPICE® 和 SABERTM电气模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS 额定值曲线\n•相关文献;

ONSEMI

安森美半导体

N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ

这些 N 沟道功率 MOSFET 采用创新的 UltraFET 工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。 •56A，100V\n•温度补偿式PSPICE®和SABER™ 电气模型\n•SPICE和SABER热阻抗模型\n•峰值电流与脉宽曲线\n•UIS额定值曲线 这些N沟道Power MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。 这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。 此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。 设计用于电源效率很重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关，以及便携式产品和电池供电产品中的电源管理。;

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安森美半导体

56A, 115V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET

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