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HUF75542P3	文件：192.72 Kbytes Page：9 Pages	75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Models - www.fairchildsemi.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：192.72 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HUF75542P3	文件：166.23 Kbytes Page：11 Pages	75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Features • Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.014Ω, VGS = 10V • Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE® and SABER© Electrical Models - Spice and SABER© Thermal Impedance Models - www.intersil.com • Peak Current vs Pulse Width Curve • UIS Rating Curve 文件：166.23 Kbytes 页数：11 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HUF75542P3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，80V，75A，14mΩ N-Channel UltraFET Power MOSFET 80 V, 75 A, 14 mΩ •超低导通电阻 - rDS(ON)=0.014Ω，VGS=10V\n•仿真模型 - 温度补偿式PSPICE®和SABER™电气模型 - SPICE和SABER热阻抗模型 - www.fairchildsemi.com\n•峰值电流与脉冲宽度曲线\n•UIS额定值曲线;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HUFA75542P3	文件：202.41 Kbytes Page：10 Pages	75A, 80V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs 文件：202.41 Kbytes 页数：10 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
80
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
75
PD Max (W)：
230
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
14
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
80
Ciss Typ (pF)：
2750
Package Type：
TO-220-3

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