充电管理

HT4065是恒流/恒压座充充电器芯片，主要应用于单节锂电池充电,兼容15mA~500mA的充电电流，无需外接检测电阻，其内部为MOSFET结构，无需外接反向二极管，采用SOT23-5封装，外形尺寸很小且较少的外部元器件以及能够准确地调节低充电电流，因而使得 HT4065 尤其适合于那些采用低容量可再充电锂离子电池的应用。HT4065 可以适合USB电源和适配器电源工作。\n\nHT4065在大功率和高环境温度下可以调节充电电流以限制芯片温度。它的充电电压固定在4.2V，充电电流可以通过外置一个电阻器进行调节。当达到浮充电压并且充电电流下降到设定电路的1/10时，HT4065自动终止充电过程。 ◆   兼容15mA~500mA的可编程充电电流； \n◆   无需外接MOSFET、检测电阻、反向二极管； \n◆   涓流充电可调节低电池电量充电； \n◆   恒流/恒压模式操作以及热反馈功能可在无过热危险的情况下实现充电速率的最大化； \n◆   用于单节锂离子电池； \n◆   可通过USB端口为锂电池充电； \n◆   具有1%精度的预设充电电压 \n◆   待机模式下电流为40uA \n◆   软启动限制了浪涌电流 \n◆   采用SOT23-5封装;

Hotchip

华芯邦

PDP TRENCH IGBT

Description This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on)and low EPULSE™ rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperatu

文件：785.49 Kbytes 页数：9 Pages

IRF

PDP TRENCH IGBT

文件：321.66 Kbytes 页数：7 Pages

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PDP TRENCH IGBT

Description This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced trench IGBT technology to achieve low VCE(on) and low EPULSETM rating per silicon area which improve panel efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperatu

文件：344.59 Kbytes 页数：7 Pages

IRF